Электронная техника 3-е изд. - Москатов Е. А. [2010, PDF]

Оглавление

ПРЕДИСЛОВИЕ 13
1. ПРОСТЕЙШИЕ КОМПОНЕНТЫ 14
1.1. Резисторы 14
1.2. Варисторы и негисторы 15
1.3. Терморезисторы 16
1.4. Конденсаторы 16
1.5. Ионисторы 17
1.6. Моточные компоненты 18
1.6.1. Катушки индуктивности и дроссели 18
1.6.2. Трансформаторы и пьезотрансформаторы 20
2. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ПЕРЕХОДЫ 22
2.1. Общие сведения об электропроводности веществ 22
2.1.1. Диэлектрики, проводники, сверхпроводники и полупроводники 22
2.1.2. Носители заряда. Проводимости полупроводников: собственная и примесная 23
2.1.3. Диапазоны энергий и распределение носителей заряда в них 25
2.2. Электронно-дырочный переход 27
2.2.1. Получение электронно-дырочного перехода 27
2.2.2. Прямое и обратное включения электронно-дырочных переходов 29
2.2.3. Ёмкости и частотные свойства электронно-дырочных переходов 31
2.2.4. Пробои электронно-дырочных переходов 32
2.3. Переход и диод Шоттки: получение и включения в прямом и обратном направлении 34
2.4. Гетеропереходы 36
2.5. Эффекты полупроводников 37
2.5.1. Эффект Ганна 37
2.5.2. Эффект поля 40
2.5.3. Эффект Суля 40
2.5.4. Эффекты Пельтье и Зеебека 41
2.5.5. Туннельный эффект 42
2.5.6. Эффект Холла 44
3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 46
3.1. Конструкция и основные параметры полупроводниковых диодов 46
3.1.1. Общие сведения о полупроводниковых диодах 46
3.1.2. Конструкции и простейшие способы изготовления полупроводниковых диодов 47
3.1.3. Некоторые основные параметры полупроводниковых диодов 49
3.2. Выпрямительные диоды 50
3.3. Импульсные диоды 51
3.4. Варикапы 52
3.5. Стабилитроны и стабисторы 53
3.6. Светодиоды 56
3.7. Полупроводниковые лазеры 57
3.8. Фотодиоды 59
4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 61
4.1. Общие сведения о транзисторах 61
4.2. Конструкция некоторых биполярных транзисторов 62
4.3. Принцип действия биполярных транзисторов 64
4.4. Схемы включения биполярных транзисторов 68
4.4.1. Схема включения транзистора с общим эмиттером 68
4.4.2. Схема включения транзистора с общим коллектором 70
4.4.3. Схема включения транзистора с общей базой 71
4.5. Биполярные фототранзисторы 72
4.6. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов 73
4.7. Влияние температуры на режимы работы биполярных транзисторов 74
5. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 76
5.1. Общие сведения о полевых транзисторах 76
5.2. Полевые транзисторы с управляющим переходом 77
5.2.1. Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом 77
5.2.2. Принцип действия полевых транзисторов с управляющим переходом 79
5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором 82
5.3.1. Полевые транзисторы со встроенным каналом 82
5.3.2. Полевые транзисторы с индуцированным каналом 84
5.4. Режимы работы полевых транзисторов 86
5.4.1. Динамический режим работы транзистора 86
5.4.2. Ключевой режим работы транзистора 88
6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМИ ЗАТВОРАМИ 90
6.1. Общие сведения о БТИЗ 90
6.2. Конструкция и принцип действия БТИЗ 92
6.3. Основные параметры БТИЗ 94
7. ТИРИСТОРЫ 95
7.1. Общая информация о тиристорах 95
7.2. Динисторы 95
7.3. Тринисторы 98
7.4. Запираемые тиристоры 100
7.5. Симисторы 101
7.6. Фототиристоры 103
7.7. Основные параметры тиристоров 104
8. ВАКУУМНЫЕ И ИОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ 105
8.1. Общие сведения об электровакуумных приборах 105
8.2. Электровакуумные диоды 106
8.2.1. Конструкция и принцип действия электровакуумных диодов 106
8.2.2. Основные параметры и анодная характеристика электровакуумных диодов 107
8.3. Триоды 109
8.3.1. Конструкция и принцип действия триодов 109
8.3.2. Основные характеристики и параметры триодов 110
8.4. Тетроды 113
8.4.1. О тетродах и влиянии экранирующих сеток на их параметры 113
8.4.2. Динатронный эффект 115
8.5. Лучевые тетроды 116
8.6. Пентоды 118
8.7. Лампы бегущей волны 118
8.8. Лампы обратной волны 120
8.9. Пролѐтные клистроны 122
8.10. Магнетроны 124
8.11. Мазеры 126
8.12. Тиратроны 127
8.13. Крайтроны и спрайтроны 128
9. ВВЕДЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ 132
9.1. Интегральные микросхемы 132
9.2. Плѐночные микросхемы 133
9.3. Гибридные интегральные микросхемы 135
9.4. Полупроводниковые микросхемы 136
10. УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ 137
10.1. Индикаторы 137
10.1.1. Светодиодные индикаторы 137
10.1.2. Жидкокристаллические индикаторы 138
10.2. Общие сведения об электронно-лучевых трубках 140
10.3. Жидкокристаллические дисплеи и панели 142
10.3.1. Общие сведения о жидкокристаллических дисплеях 142
10.3.2. Электролюминесцентная подсветка жидкокристаллических дисплеев 143
10.3.3. Светодиодная подсветка жидкокристаллических дисплеев 144
10.3.4. Время отклика жидкокристаллических дисплеев и влияние температуры на их работу 144
10.4. Плазменные панели 145
10.5. Органические светодиодные дисплеи 146
10.6. Дисплеи на углеродных нанотрубках 148
10.7. Сенсорные экраны и классификация их типов 149
10.8. Голографические системы 151
11. АНАЛОГОВЫЕ УСТРОЙСТВА 152
11.1. Усилители сигналов и их классификация 152
11.2. Основные параметры и характеристики усилителей 153
11.2.1. Основные параметры усилителей 153
11.2.2. Важнейшие характеристики усилителей 155
11.3. Работа простейшего усилителя на различных частотах 158
11.4. Выходные усилительные каскады 159
11.4.1. Однотактный трансформаторный каскад 159
11.4.2. Двухтактный трансформаторный каскад 161
11.4.3. Двухтактный бестрансформаторный каскад 164
11.5. Основные сведения о режимах работы усилителей 165
11.5.1. Проходная динамическая характеристика и общие сведения о классах усиления 165
11.5.2. Режим работы класса A 167
11.5.3. Режим работы класса B 168
11.5.4. Режим работы класса AB 168
11.5.5. Режим работы класса C 169
11.5.6. Режим работы класса D 170
11.6. Сведения об обратных связях и о влиянии, которое они оказывают на работу усилителей 170
11.6.1. Основная информация об обратных связях 170
11.6.2. Влияние обратных связей на коэффициенты усиления каскадов 172
11.7. Автогенераторы 175
11.8. Усилители постоянного тока 178
11.8.1. Усилитель постоянного тока с непосредственными связями 179
11.8.2. Дифференциальный усилитель 180
11.8.3. Операционные усилители 182
11.8.4. Обзор некоторых параметров операционных усилителей 183
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 185
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ 200